Samsung UFS 1TB chip praticamente confirma boato Galaxy S10 +

Ao contrário da LG, a Samsung não é a única a sempre dar dicas ou pré-anunciar produtos e recursos. O que faz, no entanto, é anunciar os componentes que geralmente terminam em seu próximo telefone principal. Nesse caso, o fabricante coreano está anunciando a produção em massa de um chip Universal Flash Storage incorporado ou eUFS com capacidade de atingir 1 terabyte. E embora isso já possa ser uma conquista importante por si só, é ainda mais interessante por causa dos rumores em torno do próximo Galaxy S10 +.

Os smartphones realmente percorreram um longo caminho, oferecendo apenas uma média de 16 a 32 GB de armazenamento eMMC para, agora, 1 TB. Especialmente um que é um tipo eUFS mais rápido de armazenamento flash. Embora não seja exatamente inesperado, já que atualmente temos telefones de 512 GB, era uma questão de quem chegaria lá primeiro e como.

O negócio de semicondutores da Samsung, um dos mais lucrativos, tem brincado com o empilhamento de memória flash V-NAND para obter ainda mais capacidade. Nesse caso, a Samsung empilhou 16 camadas de memória flash V-NAND de 512 Gigabit (Gb). Com 1 TB de armazenamento, você obtém vinte vezes mais que a média de 64 GB na maioria dos smartphones premium. Nesse ponto, talvez você nem precise de um cartão microSD.

E não é apenas o armazenamento também. O novo eUFS de 1 TB da Samsung também é o mais rápido até o momento, com velocidade de leitura sequencial de 1000 MB / s e velocidade de gravação seqüencial de 260 MB / s. A Samsung diz que é o dobro da velocidade de um SSD SATA típico de 2,5 polegadas. Em termos práticos, isso andaria de mãos dadas com um sensor de câmera que pode gravar vídeo a 960 fps.

Embora a Samsung não esteja dizendo diretamente, é claro, isso alimenta rumores de uma versão premium do Galaxy S10 +. Esse modelo terá 12 GB de RAM e 1 TB de armazenamento. Como a Samsung já é capaz de fabricar o primeiro, este anúncio prova que também é capaz do último.