Samsung inicia produção de chip de armazenamento para smartphone de 1 TB

A Samsung anunciou que iniciou a produção em massa para o primeiro Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 de um terabyte incorporado do setor. Ele é destinado a aplicativos móveis de próxima geração, por isso estamos bastante certos de que haverá versões de 1 TB do Samsung Galaxy S10, a serem reveladas em 20 de fevereiro.

O objetivo da Samsung é oferecer aos usuários de smartphones a quantidade de armazenamento que pode ser encontrada em computadores. “Espera-se que o eUFS de 1TB desempenhe um papel crítico ao trazer uma experiência de usuário mais parecida com um notebook para a próxima geração de dispositivos móveis”, Disse Cheol Choi, vice-presidente executivo de vendas e marketing de memória da Samsung Electronics.

O chip mede 11,5 mm x 13,0 mm e, segundo a Samsung, oferece taxa de transferência de 1.000 megabytes por segundo (MB / s) em velocidade de leitura sequencial. As velocidades de gravação seqüencial são anunciadas em 260MB / s. A Samsung antecipa uma forte demanda pelo novo chip, de “fabricantes de todo o mundo”.

MemóriaSequencial
Velocidade de leitura
Sequencial
Velocidade de escrita
Aleatória
Velocidade de leitura
Aleatória
Velocidade de escrita
Samsung
1 TB eUFS 2.1
(Janeiro de 2019)
1000 MB / s260 MB / s58.000 IOPS50.000 IOPS
Samsung
512GB eUFS 2.1
(Novembro de 2017)
860 MB / s255 MB / s42.000 IOPS40.000 IOPS
Samsung
eUFS 2.1 para automotivo
(Setembro de 2017)
850 MB / s150 MB / s45.000 IOPS32.000 IOPS
Samsung
Cartão UFS de 256GB
(Julho de 2016)
530 MB / s170 MB / s40.000 IOPS35.000 IOPS
Samsung
256GB eUFS 2.0
(Fevereiro de 2016)
850 MB / s260 MB / s45.000 IOPS40.000 IOPS
Samsung
128GB eUFS 2.0
(Janeiro de 2015)
350 MB / s150 MB / s19.000 IOPS14.000 IOPS
eMMC 5.1250 MB / s125 MB / s11.000 IOPS13.000 IOPS
eMMC 5.0250 MB / s90 MB / s7.000 IOPS13.000 IOPS
eMMC 4.5140 MB / s50 MB / s7.000 IOPS2.000 IOPS

A tabela de benchmark acima foi fornecida pela Samsung.

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