Samsung eUFS 3.0 entra em produção em massa, tarde demais para o Galaxy …

Samsung eUFS 3.0 goes into mass production, too late for Galaxy S10
Samsung eUFS 3.0 entra em produção em massa, tarde demais para o Galaxy S10

A Samsung se orgulhou orgulhosamente do armazenamento interno de 1 TB do Galaxy S10 +, mas que pode já estar desatualizado antes do final do ano. Esse grande armazenamento de dados, o maior entre os telefones, já está no padrão eUFS 2.1, mais rápido do que a maioria das memórias internas de smartphones atualmente. Mas agora a Samsung acaba de anunciar a produção do eUFS 3.0 que é ainda mais rápida e, sim, haverá uma capacidade de 1 TB chegando ainda este ano.

Atualmente, a maioria dos smartphones ainda usa armazenamento eMMC, que é considerado o tipo mais lento de armazenamento incorporado. O padrão mais rápido do Universal Flash Storage existe desde 2011, mas poucos realmente usam a versão incorporada (eUFS) para smartphones. A Samsung é a exceção notável e coloca anos de memória flash eUFS em seus carros-chefe.

O eUFS 3.0, lançado formalmente em janeiro do ano passado, promete dobrar a velocidade de leitura e gravação seqüencial, além de acesso de E / S aleatório 36% mais rápido em comparação ao eUFS 2.1. Este último entrou em produção apenas no início do ano passado e o armazenamento está sendo usado no Galaxy S10, pelo menos com base em benchmarks muito antigos.

A Samsung iniciou a produção em massa de um armazenamento eUFS 3.0 de 512 GB que armazena oito matrizes V-NAND de 512 Gb (Gigabit) em um único chip. Também está sendo feita uma versão de 128 GB e será lançada este mês. Chegará a hora de o Galaxy Fold ser um dos primeiros a usar o chip de armazenamento mais rápido. Na segunda metade do ano, a Samsung estará produzindo versões de 1 TB e, estranhamente, 256 GB, bem a tempo para o próximo Galaxy Note.

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