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O Galaxy S10 e Galaxy F devem estar disponíveis na versão de 1 TB

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Para manter sua posição número um no mercado global de smartphones, Samsung desenvolveu vários smartphones de qualidade para este ano. A empresa sul-coreana primeiro modernizou sua oferta básica com o Galaxy M20 e M10, que foram oficializados esta semana.

Em seguida, a empresa deve apresentar em breve quatro produtos de ponta na vanguarda da tecnologia: Galaxy S10, Galaxy S10 E, Galaxy S10+ e Galaxy F.

Samsung Galaxy X

Ao contrário de outros fabricantes de smartphones, a Samsung tem a vantagem de ter expertise em determinados componentes de seus terminais. Produz notavelmente o chipset Exynos, sensores fotográficos ISOCELL, telas Infinity Display, baterias e chips Universal Flash Storage. A empresa também tem uma reputação mundial neste último ponto. Recentemente, a empresa lançou seu primeiro componente de armazenamento com capacidade de 1 TB.

Segundo rumores, este último deverá estar presente nos futuros smartphones topo de gama da marca.

Claro que não sabemos se os futuros smartphones emblemáticos da marca terão mesmo esta nova memória flash. Em particular, teremos que esperar que sua apresentação oficial – que acontecerá em 20 de fevereiro – seja corrigida.

Um grande passo em frente

Os smartphones de última geração do mercado atualmente vêm com um máximo de 512 GB de espaço de armazenamento interno. Graças à Samsung, os novos produtos que estão por vir poderão beneficiar do dobro.

Enquanto estamos a poucos dias da apresentação da série Galaxy S10 e do Galaxy F, a empresa coreana efetivamente dobrou a capacidade de seus chips eUFS 2.1. Este último aumentou notavelmente para 1 TB, como um laptop de última geração.

A nova memória flash da empresa usa V-NAND de 5ª geração em “mais de 90 camadas”. Basicamente, é composto por 16 camadas de 64 GB empilhadas.

Uma grande capacidade de armazenamento

Segundo a Samsung, essa capacidade armazenaria até 260 vídeos de 10 minutos gravados em resolução 4K UHD, enquanto um chip eUFS de 64 GB pode armazenar apenas 13 vídeos com a mesma resolução.

A nova memória flash eUFS 2.1 de 1 TB da empresa sul-coreana também pode transferir dados a velocidades dez vezes mais rápidas do que um simples cartão microSD.

Além disso, ofereceria velocidades de até 1 GB/s na leitura e 260 MB/s na escrita.

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